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Push-PullAmp.基板の設計(5)

 投稿者:ニャ  投稿日:2022年 3月13日(日)04時26分31秒
  通報 返信・引用 編集済
  只今、初段のOPアンプの検討をしているがデュアルOPアンプでGBPが十分に取れた物が見当た
らない。無い事は無いのだがOPアンプの内部補償が一筋縄では行かない物が多い。単純に所
期のゲインを設定すると高域にピークが生じる。要するにOPアンプ内部でオープンゲインのF
特に2次系の補償が掛かっていると云う事である。

亦、入力がバイポーラTRSでバイアス電流が無視出来ない物が多いのでバイアス電流打消しを
掛ける事になるがOPアンプに因って初段の差動TRSの極性が違うので使用するOPアンプで設定
方法を変える必要がある。
今回はGBPが一番大きなNJM2114Dに零点補償を掛けて使う事にした。之でハイブリッドアンプ
の初段の高域の遮断周波数はF=850kHzを実現出来た。バイアス電流補償回路はOPアンプの
初段差動TRSの温度ドリフト補償も出来る回路としてOPアンプ出力で2mV位に抑える事が出
来た。

参考までに素性の良さそうな3種類のOPアンプについての測定結果を掲示する。
上からNJM2114D、NJM4580、NJM4560である。後ろの2点については零点補償の必要は無い様だ。
 
 
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