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6GB8PPCFSTAの測定(4)

 投稿者:ニャ  投稿日:2021年 7月16日(金)16時11分33秒
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  次に、F=1kHz、F=100Hzの高調波歪率 対 出力特性を見るとF=1kHzではTHD+Nと3次高調波は
同じレベルに有り、2次高調波、4次高調波は可成り低いレベルに有る。これはプッシュプル
アンプのAC平行度が取れている為に偶数次歪が下がって、残りの奇数次高調波(主に3次高調
波)で増幅素子(真空管)の直線性が決定されている事を表す。
増幅段のgmの関数は3/2乗、出力段はUL特性で3/2乗、5/2乗特性の中間特性になるので4
次以上の高調波非常に少なっている事が解る。

次にf=100Hzの特性を見るとPo=15W以上でTHD+Nのカーブが急激に上昇して悪化するのが判
る、同様に2次高調波が増大悪化しているのも観測される。2次歪が悪化する時はアンプの動
作点が狂ってプッシュプル平行度がずれた事を表している。

プッシュプルの真空管の平行度がずれても、出力トランスが磁気飽和を起こさなければ歪率
カーブが折れ線になる様な急激な歪率の変化は起きないので出力トランスの磁気飽和が起き
たと判断した次第である。

真空管の電流平行度のずれはF=1kHzでも起きている筈で有るが出力トランスの励磁電流が小
さいので磁気飽和を起こすことは無いが低い周波数では励磁電流が周波数に反比例して増加
するので磁気飽和が起こり易くなる。

次に、画像(下)の歪率カーブグラフに示す様に出力トランスの不平行電流がPo=15W以上で
スペックの2mA以内になる様に出力電流のDCバランスを調整すると歪率カーブが悪化しないの
が確認出来た。
以上で低域周波数での歪率の悪化の原因は出力トランスの磁気飽和である事が判った。

(上)高調波歪率(H1=1kHz) 対 出力特性図、(中)高調波歪率(H1=100Hz) 対 出
力特性図、(下)磁気飽和対策前/後の歪率特性図である。
 
 
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